具备晶圆衬底全自动内应力高精度定量测量和生产统计功能

产品编号

SV200_i

所属分籺�/p>

半导体制造量检测产品方桇�/p>

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晶圆内应力检测仪（SV系列（�/p>

优势

✔️ 基于双折射应力测量模型实现应力定量测量，输出二维应力和应力方吐�/span>

✔️ 采用双远心检测光路，内应力测量精度高

✔️ 自动微管缺陷扫描和计数，可以进行显微测量

✔️ 适应非标尺寸晶圆的样品托盘，适应不同规格晶圆批量测试

✔️ 配备150-225mm open_cassette晶圆自动传输系统

适用对象

150-225mm三代化合物晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆筈�/span>

适用领域

面向化合物晶圆籽晶筛选、长晶质量管控，晶圆加工工艺管控、晶圆成品质量管控等晶圆生产过程

测量原理

• 本系统基亍�strong style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px; font-weight: bold;">偏振光应力双折射效应检测晶圆材料内部的残余应力分布、�/span>

• 当晶体材料由于长晶环境温度梯度和晶体内部缺陷导致产生晶体内应力时，晶体会呈现出应力双折射效应，偏振光透过它时会发生偏振态调制，通过测量透射光的斯托克斯矢量可以推算出材料的应力延迟量，从而测量出材料内应力分布、�/span>

• 获取晶圆内应力高分辨率图像，基于自动识别深度学习模型可以开展晶圆内部缺陷自动识别和计数、�/span>

SV200-i 技术规栻�/strong>

1. 内应力测量指标参�?/strong>

序号	项目	参数
1	样品测量口径	150 - 225mm
2	应力测量输出内容	相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位觑�/td>
3	应力图像横向分辨玆�/td>	25μm
4	应力测量范围	0 - 150nm光学延迟
5	主应力方位角测量范围	0 - 180°
6	测量准确�?/td>	±1nm光学延迟，�?.5°方位觑�/td>
7	应力图像解析�?/td>	1600万像素（@6英寸晶圆（�/td>
8	自动测量效率	60WPH（@6英寸晶圆（�/td>

2. 微管扫描识别指标参数

序号	项目	参数
1	样品测量口径	150 - 225mm
2	应力测量输出内容	相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位觑�/td>
3	应力图像横向分辨玆�/td>	25μm
4	应力测量范围	0 - 150nm光学延迟

3. EFEM传输系统指标参数

名称	项目	参数
主体	适用晶圆尺寸	150 - 225mm
	适用料盒	150-225mm范围内的标准/非标Open Cassette
	产能	60 - 100 WPH
Aligner	Centering	±0.1mm
	Flat or notch orientation	±0.1°
	Positioning time	6s-7s
Robot	行程：Z	250mm
	行程：T	340°
	行程：R	500mm
	*小回转半徃�/td>	300mm
	重复定位精度：XYZ	±0.1mm

瑞霏光电全自动晶圆内应力检测仪将全口径延迟、应力方位角等分析整合进入一键测量，确保我们的客户能够快速确认工艺、�/span>