一、整机简述： 特点/用� JCP200设备设备体积小，真空获得快，功能强大，使用成本低；PLC触摸屏控制，操控方便该设备标�?只平面靶，另预留1对蒸发电极接口，能够溅射蒸发两用（磁控溅射与蒸发镀不能同时进行）； 该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜等，基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能;非常适合于大专院校的教学、科研之用� 二、设备主要技术参数： 1.真空腔室 Ф220×H300mm，不锈钢上开盖结构； 2.真空系统 涡轮分子�?直联旋片�?电动真空阀门，“一低一高”数显复合真空计� 3.真空极限 优于8.0×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）； 4.抽� 从大气抽�?.0×10-3Pa�?5min� 5.漏率 设备升压率≤0.8Pa/h� 设备保压：停�?2小时候后，真空≤10Pa� 6.可镀膜尺� 2英寸1片，散片若干�?nbsp; 7.基片加热与旋� 衬底加热：室温～500℃，自动测温，PID控温� 基片旋转�?-20�?分钟，可调可控； 8.溅射靶规� 2英寸圆形平面�?只，另预�?对蒸发电极接口； 9.膜厚不均匀� ≤�?%(Ф50mm范围�?� 10.控制方式 PLC触摸屏控制； 11.循环水机 制冷�?.8kW；（选配� 12.报警及保� 对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施； 13.占地面积 长×宽×髗� 1670×1640×1900mm：�/span>