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工艺过程低应劚/p>
低耗材成本COC和运营成本COO
低排放可保护环境
整合了无应力抛光、化学机械研磨、湿法刻蚀、干法刻蚀工艺
电抛光液和湿法刻蚀液可实时循环使用
减少化学和耗材使用野/p>
设备尺寸(mm):4100(?*2600(?*2650(?
| 序号 | 应用 | 描述 | 使用化学 |
| 1 | 双大马士革工艺超低K铜互违/td> | CMP+SFP+Clean+TFE | Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2 |
| 2 | 双大马士革工?nm及以下钌阻挡层互连结枃/td> | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Slurry,Electrolyte,Etchant |
| 3 | 晶圆级封裄br style="box-sizing: border-box; outline: 0px; padding: 0px; margin: 0px;"/>?D硅通孔?.5D转接板,再布线,扇出(/td> | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Electrolyte,Slurry,Etchant |

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