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Primo nanova®是中微基于电感耦合（ICP）技术研发的12英寸刻蚀设备。它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计，具有高反应气体通量。ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计，可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率。设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘，使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。Primo nanova适用?X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用、/p>
低电容耦合3D线圈设计
高抽速大容量涡轮泴/p>
精密的腔体温控系绞/p>
先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺
多区细分的高动态范围温控静电吸盗/p>
阻抗可调聚焦环设讠/p>
切换式双频偏压系绞/p>
可选的集成除胶反应腓/p>
可选的Durga ESC
离子浓度和离子能量独立可?/p>
高排气量和更宽的工艺窗口
优秀的刻蚀均匀?/p>
优异的高深宽比刻蚀性能
高生产效率，低生产成本（CoO（/p>
暂无数据
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移动?/p>
工商已核宝/p>
