直径

50.8mm

100.0mm

150.0mm

200.0mm

厚度

350μm

350μm

350μm

500μm

表面晶向

Off-Axis�?°toward <11-20>±0.5°

主参考面晶向

Parallel to <11-20>±1°

<1-100>±1°

主参考面长度

16.0mm

32.5mm

47.5mm

Notch

次参考面位置

Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.

N/A

N/A

次参考面长度

8.0mm

18.0mm

N/A

N/A

电阻玆�/p>

0.014�?.028Ω•cm

正面状�?/p>

Si-Face：CMP,Ra<0.2nm

反面状�?/p>

C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm

镭刻码面

Back side：C-Face

总厚度偏差TTV

�?0μm

�?5μm

�?5μm

�?0μm

弯曲度BOW

�?5μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

翘曲度WARP

�?0μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

边缘去除

�? mm

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点（℃（�/p>

2730ℂ�/p>

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导�?W·cm^-1·ℂ�sup>-1)

4.9W·cm^-1·ℂ�sup>-1

热膨胀系数(ℂ�sup>-1)

4.7×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1（�/p>

720^a650^c

击穿电场(MV·cm^-1)

3.1

JFM指数（power（�/p>

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射玆�/p>

2.6767�?.6480