直径

10*10 mm

50.8mm

100mm

厚度

350μm

350μm

350μm

晶型

6H-N � 4H-P � 6H-P �?C-N

表面晶向6H-N/4H-P/6H-P

Off axis: 0.0°- 8.0° toward <11-20> ± 0.5°

表面晶向3C-N

On axis : <0001>±0.5°

电阻�?H-N/4H-P/6H-P

� 0.5 Ω ·cm

电阻�?C-N

� 1.0 mΩ ·cm

正面状�?/p>

Si-Face：CMP,Ra<0.5nm

反面状�?/p>

C-Face：Optical Polish,Ra<1.0nm

镭刻码面

Back side ：C-Face

总厚度偏差TTV

�?μm

�?0μm

�?5μm

弯曲度BOW

�?5μm

�?5μm

�?5μm

翘曲度WARP

�?0μm

�?0μm

�?0μm

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点（℃（�/p>

2730ℂ�/p>

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导�?W·cm^-1·ℂ�sup>-1)

4.9W·cm^-1·ℂ�sup>-1

热膨胀系数(ℂ�sup>-1)

4.7×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1（�/p>

720^a650^c

击穿电场(MV·cm^-1)

3.1

JFM指数（power（�/p>

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射玆�/p>

2.6767�?.6480