直径

50.8 mm

76.2mm

100mm

厚度

400μm

450μm

450μm

端面晶向

�?001� ± 0.2°Ga face

斜切角（C偏M（�/p>

0.5°C-plane off angle toward M-axis

斜切角（C偏A（�/p>

0.0°C-plane off angle toward A-axis

主定位边晶向

M-plane (10-10) ± 2.0˚

主定位边长度

16mm

22mm

32mm

次定位边晶向

Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚

次定位边长度

8mm

11mm

18mm

正面状�?/p>

� 0.3 nm(10μm ×10μm)

反面状�?/p>

Polished; Etched

镭刻码面

Back side：N-Face

总厚度偏差TTV

�?5μm

�?5μm

�?0μm

弯曲度BOW

�?0μm

�?0μm

�?0μm

翘曲度WARP

�?0μm

�?5μm

�?0μm

边缘去除

�? mm

电学参数

掺杂元素

电阻玆�/p>

/

Semi-Insulating (Carbon)

�?E8 ohm-cm

/

N-type (Silicon)

�?.02 ohm-cm

/

UID（Undoped（�/p>

�?.2 ohm-cm

/

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.45eV

熔点（℃（�/p>

2400ℂ�/p>

莫氏硬度(mohs)

9.5

热导�?W·cm^-1·ℂ�sup>-1)

1.3W·cm^-1·ℂ�sup>-1

热膨胀系数(ℂ�sup>-1)

α_a=5.6×10^-6
α_c=3.2×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3189
c=0.5185

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1（�/p>

900

击穿电场(MV·cm^-1)

4.9

JFM指数（power（�/p>

790

BFM指数(SW)

910

BHFM指数(RF)

100