直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

300mm

厚度

400μm

400μm

500μm

625 μm

725μm

775μm

表面晶向

<100> �?nbsp; <111> �?nbsp; <110>

掺杂类型

N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)

P-type(B-Doping)

Intrinsic

定位边长�?/p>

16mm

22mm

32mm

47.5mm

Notch

Notch

正面状�?/p>

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面状�?/p>

SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

氧化类型

单面氧化 �?nbsp; 双面氧化

氧化层厚�?/p>

50nm

100nm

300nm

500nm

1000nm

2000nm

总厚度偏差TTV

�?μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

弯曲度BOW

�?0μm

�?2μm

�?5μm

�?5μm

�?0μm

�?5μm

翘曲度WARP

�?2μm

�?5μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

�?0μm

边缘去除

�? mm

�? mm

晶体结构

金刚石立方晶佒�/p>

禁带宽度(eV)

1.12eV

熔点（℃（�/p>

1414ℂ�/p>

莫氏硬度(mohs)

7

热导�?W·cm^-1·ℂ�sup>-1)

1.5W·cm^-1·ℂ�sup>-1

热膨胀系数(ℂ�sup>-1)

2.5×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.5431

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1（�/p>

1350

击穿电场(MV·cm^-1)

0.3

JFM指数（power（�/p>

1

BFM指数(SW)

1

BHFM指数(RF)

1

折射玆�/p>

3.5