直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

厚度

350μm

350μm

350μm

675μm

675μm

表面晶向

(100) 15.0˚± 1.0˚ off toward (111)

<100>±1.0°

主定位边晶向

EJ<0-1-1>±1.0°

主定位边长度

12mm

22mm

32mm

Notch

Notch

次定位边晶向

EJ<0-1 1>±1.0°

N/A

N/A

次定位边长度

7mm

12mm

18mm

N/A

N/A

正面状�?/p>

Epi-polished

反面状�?/p>

SSP:Etched; DSP:Epi-polished

总厚度偏差TTV

�?0μm

�?0μm

�?5μm

�?0μm

�?0μm

弯曲度BOW

�?2μm

�?5μm

�?0μm

�?5μm

�?0μm

翘曲度WARP

�?5μm

�?0μm

�?5μm

�?0μm

�?0μm

边缘去除

�? mm

导电类型

N-Ttpe

N-Ttpe

Insulating

掺杂元素

Si-doping

Si-doping

Undoped

电阻玆�/p>

(1~9）E-3ohm-cm

(1~9）E-3ohm-cm

�?E7ohm-cm

位错密度(EPD)

�?000/cm²

�?00/cm²

�?000/cm²

载流子浓�?CC)

(0.4~5）E18/cm³

(0.4~2.5）E18/cm³

N/A

电子迁移�?Mobility)

�?000cm²/v.s

�?500cm²/v.s

�?000cm²/v.s

晶体结构

立方晶体

禁带宽度(eV)

1.42eV

熔点（℃（�/p>

1238ℂ�/p>

莫氏硬度(mohs)

5.6

热导�?W·cm^-1·ℂ�sup>-1)

0.55W·cm^-1·ℂ�sup>-1

热膨胀系数(ℂ�sup>-1)

5.8×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.5652

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1（�/p>

8500

击穿电场(MV·cm^-1)

4

JFM指数（power（�/p>

11

BFM指数(SW)

28

BHFM指数(RF)

16

折射玆�/p>

3.24~3.33