浙江芯晖装备技术有限公号/div>
首页 > 产品中心 > 粉体焙烧 > 12 英寸硅单晶生长炉
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技术参?/h4>

项目

参数

单位

XINHUI

晶棒长度

· 2100

mm

2100

晶棒直径

· 308

mm

308

碳含野/span>

· < 0.30

ppma

0.10

晶体

· COP 26nm (no pattern)

%

>85



体金屝br style="padding: 0px; margin: 0px; box-sizing: border-box;"/>

· Bulk Metal Cu

atom/cm3

1E11

· Bulk Metal Ni

atom/cm3

1E10

· Bulk Metal Fe

atom/cm3

Ave 2E9;Max 1E10

提拉轴与坩埚轴对中偏?/span>

· 多次开合操作后

mm

± 1

· 承载?-400kg 范围内变匕/span>

mm

± 1

液面位置跟踪控制精度

-

mm

±0.2

晶体直径控制精度

-

mm

±2.0

投料量(含二次加料)

-

KG

400


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