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本设备主要用于碳化硅(SiC)单晶生长。液相法可以在更低的温度(<2000℃)以下实现SiC单晶的生长,理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长、/p>
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