www.188betkr.com 讯在全球半导体产业格局深度调整、技术竞争日趋激烈的当下，我国高端半导体装备自主化进程迎来关键跨越。近日，鑫巨（深圳）半导体科技有限公司成功向国内头部客户交付首台完全自主研发的电化学沉积设备（ECD），并依托该设备实现量产需求下的高良率小批量生产。这不仅标志着我国在高端半导体关键工艺装备领域实现重大突破，更在决定下一代芯片性能的“玻璃基板”新赛道上，具备了与国际先进水平同台竞技的实力与底气，为保障国家产业链供应链安全稳定注入了强劲动能。
来源：鑫巨半导体
随着摩尔定律逼近物理极限，芯片性能提升路径正从传统的“制程微缩”转向以先进封装为核心的“封装革命”。玻璃基板凭借超低翘曲度、超高表面平整度及优异的高频电学特性，成为2.5D/3D集成、芯粒（Chiplet）互连等先进封装技术的理想载体。
本次鑫巨半导体交付的ECD设备，正是玻璃基板制造中难度最高、最为关键的核心工艺装备。值得关注的是，该设备及配套的VCL刻蚀设备均由鑫巨半导体完全自主研发，软硬件实现100%自研，技术路线与应用方向均属全新突破，彻底摆脱了对国外技术的依赖。在技术性能上，该设备展现出高度兼容性与稳定性，不仅支持12英寸圆形玻璃基板，还适配310×310mm、515×510mm、610×610mm等大尺寸方形玻璃基板，可实现RDL 2微米线宽/线距与TGV深孔填充1:20深宽比的量产稳定输出。其核心技术指标已达到国际先进水平，部分关键性能甚至优于国外同类产品。
电镀样品 来源：鑫巨半导体
从底层架构设计到控制系统开发，从工艺模块研发到整机集成调试，鑫巨半导体坚持完全正向开发模式，构建起完善的核心技术体系和自主知识产权布局，成功实现了高端半导体装备从“0”到“1”的关键跨越。这一突破背后，是我国半导体装备企业在核心技术领域的长期深耕与持续创新，不仅夯实了我国高端装备制造的自主根基，更打破了国际巨头在该领域的垄断格局，为国内半导体产业链上下游协同发展提供了关键支撑。
鑫巨半导体相关负责人表示，未来公司将继续秉持开放合作的理念，深化与国内外产业链伙伴的协同创新，积极参与国家重大技术攻关，持续打造更多具有自主知识产权的高端半导体装备。这一表态彰显了我国半导体装备企业的责任与担当，也预示着我国高端半导体装备自主化进程将加速推进。
参考来源:
鑫巨半导体官网
深圳新闻网《芯片“封装革命”迎新突破 鑫巨半导体首台自研半导体ECD设备成功交付》
(www.188betkr.com 编辑整理/月明)
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