当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。湖南顶立科技股份有限公司 作为参展单位邀请您共同出席。
湖南顶立科技股份有限公司创建于2006年，是一家专注于特种材料及特种热工装备研制、生产和销售的高新技术企业。公司荣获国家级专精特新重点“小巨人”企业、国家级制造业单项冠军企业、国家绿色工厂等称号。公司是A股主板上市公司——楚江新材（股票代码：002171）的控股子公司。
公司构建了多层次研发平台体系，拥有“全国博士后科研工作站”、“航空动力特种焊接技术与材料湖南省国防科技重点实验室”、“湖南省新型热工装备工程技术研究中心”、“绿色节能热工装备与智能控制技术湖南省工程实验室”以及“航天航空热工装备湖南省工业设计中心”等创新平台。
公司攻克了长期制约我国热工装备及新材料领域的重大关键核心技术，取得了一系列科技成果。截至2025年11月底，公司已获授权专利192项（其中发明专利113项）；牵头/参与完成国家、行业标准19项；完成科技成果鉴定（科学技术评价）33项；荣获省部级科技奖励24项（其中湖南省技术发明一等奖1项、中国有色工业科技进步一等奖4项、湖南省国防科技进步一等奖2项）。
公司研制的超大型化学气相沉积装备、大型立式真空油淬炉、超高尺寸真空气淬炉等超大型、超高温、智能化热工装备，实现了关键装备自主可控，服务国之重器；研制的真空石墨化、真空碳化、真空热压、真空扩散焊等成套设备持续保持核心技术独特的竞争优势。
公司将先进热工装备技术成功推广应用于固废资源化领域，突破了典型金属-有机固废连续热解关键共性技术。研发的智能环保热工装备已广泛应用于退役锂电池、碳纤维风机叶片、太阳能光伏板、废漆包铜线、废线路板等资源的回收再利用，其中废旧动力电池预处理成套装备已在多家新能源电池循环利用头部企业成功应用。
公司依托在特种热工装备方面的深厚积累，开发了金属基3D打印全产业链成套技术，形成钛基、镍基、铝基等多系列金属打印材料及构件产品矩阵；突破了第三代半导体专用高纯碳基材料的制备技术，实现了关键材料及装备的自主可控；公司研制的高纯高活性氮氧化铝（AlON）陶瓷粉体及构件，综合性能达到国际先进水平。
多年来，公司秉承“提供先进材料与装备，助力科技强国”的使命，坚持以科技创新为核心，走专精特新发展之路，致力于成为在“特种材料、特种装备”领域具有引领地位的创新型企业。
产品介绍
1、卧式化学气相沉积炉（沉积炭）
卧式化学气相沉积炉（沉积炭）技术特征
电阻炉可采用多温区独立控温，温度均匀性好；
采用智能压力调控，压力波动小；
全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
多通道工艺气路，流程均匀，无沉积死角，沉积效果好；
多级高效尾气处理系统，环境友好，能高效收集焦油及副产物，易清理；
可选配外循环快冷系统，降温时间短，生产效率高；
卧式化学气相沉积炉（沉积炭）产品规格
参数型号 | HCVD-060609-C | HCVD-101015-C | HCVD-121220-C | HCVD-151530-C | HCVD-152023-C | HCVD-252035-C |
工作区尺寸 | 600×600×900 | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 1500×1500×3000 | 1500×2000×2300 | 2500×2000×3500 |
最高温度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
温度均匀性（℃） | ±5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±10 | ±10 |
极限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
压升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
加热方式 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 |
以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。
卧式化学气相沉积炉（沉积炭）配置选择
结构形式：卧式-单开门/双开门；立式-上出料/下出料
炉门锁紧方式：手动/自动
炉壳材质：全碳钢/内层不锈钢/全不锈钢
保温材质：碳毡/石墨毡/碳纤维固化毡/陶瓷纤维毡
加热器、马弗：石墨/CFC/金属
热电偶：K/N/C/S分度号
电源：KGPS/IGBT(仅适用于中频加热)
2、超高温碳化物沉积炉
超高温碳化物沉积炉技术特征
采用先进的控制技术，能精密控制H2、C3H6的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动小；
全密闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
多通道工艺气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好；
多级高效尾气处理系统，能有效处理高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物，环境友好；
可选配新设计的防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率低；
适于工艺气氛：真空/H2/N2/Ar/C3H6/ZrCl4/HfCl4/BCl3/TaCl5/ZrB2/HfB2/TaB2。
超高温碳化物沉积炉产品规格
参数型号 | HCVD-101015-ZrC | HCVD-152023-ZrC | VCVD-0608-ZrC | VCVD-0812-ZrC | VCVD-1120-ZrC | VCVD-1218-ZrC | VCVD-1520-ZrC |
工作区尺寸 W×H×L（mm） | 1000×1000×1500 | 1500×2000×2300 | 600×800 | 800×1200 | 1100×2000 | 1200×1800 | 1500×2000 |
最高温度（℃） | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
温度均匀性（℃） | ±10 | ±15 | ±5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±15 |
极限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
压升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
加热方式 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 | 电阻 |
以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。
超高温碳化物沉积炉配置选择
结构形式：卧式-单开门/双开门；立式-上出料/下出料
炉门锁紧方式：手动/自动
炉壳材质：内层不锈钢/全不锈钢
保温材质：碳毡/石墨毡/碳纤维固化毡
加热器、马弗材质：石墨/CFC
热电偶：C/S分度号
红外仪：单比色/双比色
真空泵：机械泵组/耐腐蚀泵组
3、炭界面制备沉积炉
炭界面制备沉积炉技术特征
电阻炉可采用多温区独立控温，温度均匀性好；
采用智能压力调控，沉积压力波动小；
全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
多通道工艺气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好；
多级高效尾气处理系统，环境友好，易清理；
炭界面制备沉积炉产品规格
参数型号 | CVI-0305-C | CVI-0608-C | CVI-0612-C | CVI-0812-C | CVI-0817-C | CVI-1120-C | CVI-1320-C | CVI-1520-C |
工作区尺寸 φ×H（mm） | 300×500 | 600×800 | 600×1200 | 800×1200 | 800×1700 | 1100×2000 | 1300×2000 | 1500×2000 |
最高温度（℃） | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
温度均匀性（℃） | ±5 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 |
极限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
压升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
加热方式 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 | 电阻/感应 |
以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。
炭界面制备沉积炉配置选择
结构形式：立式-上出料/下出料
炉门锁紧方式：手动/自动
炉壳材质：内层不锈钢/全不锈钢
保温材质：碳毡/石墨毡/碳纤维固化毡
加热器、马弗材质：石墨/CFC
热电偶：C/S分度号
电源：KGPS/IGBT(仅适用于中频加热)
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
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会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
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