Primo AD-RIE®是中微第二代电介质刻蚀产品。基于已被认可的Primo D-RIE®刻蚀设备，Primo AD-RIE应用了具有自主知识产权的新设计，配备了可切换双低频射频源，优化了上电极气流分布以及下电极温控系统。为了优化生产效率，Primo AD-RIE系统同样可以灵活地装置多达三个双反应台反应腔（即六个反应台）。Primo AD-RIE具备能够满足新一代芯片器件制造需求的先进性能，目前已被广泛应用于40�?4纳米后段制程、�br style="margin: 0px; padding: 0px; list-style: none; border: 0px; transition: all 0s ease 0s; box-sizing: border-box; outline: none; font-family: AlibabaPuHuiTi-2, -apple-system, sans-serif; color: rgb(51, 51, 51); font-size: 22px; text-align: justify; text-wrap: wrap;"/>此外，中微基于Primo AD-RIE开发了子系列产品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配备了自主研发的四区动态静电吸盘，每一制程步骤可独立进行控温，以达到更高的刻蚀均匀度和刻蚀选择比，目前已应用于5纳米前段和中段的掩膜层刻蚀的开发及量产。Primo AD-RIE-cr配备了拥有自主知识产权涂层技术的抗腐蚀反应腔，可应对电介质材料、金属及金属氧化物材料复杂结构的刻蚀要求、�/p>