「特点速览」
稳定可靠:80年顶尖技术传承。
独家采用 CeB6 晶体灯丝:3000 h 超长使用寿命，平均 5 年换灯丝。
面向工业 4.0 的自动化与 AI 智能扫描电镜：开放编程接口，打造定制化的“黑灯实验室”检测流程，支持 Maps 地图式多模态、多维度自动拼图及关联。
不挑安装环境：内置专利减震系统，可直接放置于生产车间、高楼层 QC 实验室等。
原厂集成能谱 EDS：从电子光学设置、图像采集到能谱分析和面分布，都在同一个统一、直观的界面中完成。卓越的低电压成像功能：对于不导电、导电性差、以及电子束敏感样品，不喷金，仍具有卓越的成像能力。
01
80 年顶尖技术传承
01飞利浦时期（1939-1996）
起源：1939 年，Le Poole 提出电子显微镜构想，1944 年成功开发 150kV 电子显微镜，奠定技术基础。
发展：1949 年推出第一台商业化电镜 EM100。后续不断推出创新产品，如 1972 年进入 SEM 市场，推出 PSEM500。
02FEI 时期 (1996-2016)
合并：1997 年，飞利浦电子光学业务与 FEI 合并，获得 ESEM 技术，技术实力增强。
创新：2006 年推出全球首台桌面型扫描电镜--飞纳（Phenom World），首次使用 1500h 长寿命 CeB6 灯丝。
03赛默飞时期（2016-至今）
收购：2016 年，FEI 被赛默飞收购。2018 年 Phenom World 被赛默飞收购，正式更名为 Thermo Scientific 品牌。
传承与发展：技术上继承 FEI 创新成果，继续提升性能，目前除了 CeB6 灯丝系列，还有台式场发射电镜系列，公安法医等特定领域专用电镜，产品线丰富，型号达数十种。
飞纳电镜从飞利浦到赛默飞，历经近 80 年技术沉淀，从最初的构想与商业化，到不断的技术创新与突破，始终在电子显微镜领域保持领先地位。
02
3000h CeB6 晶体灯丝
平均 5 年更换灯丝
拥有超长寿命核心部件，独家采用 3000 小时高亮度六硼化铈（CeB?）灯丝，平均 5 年更换灯丝，确保设备 7×24 小时连续运行，减少维护频率和持有成本，让产线或实验室长期稳定运行无忧。
03
AI 智能扫描电镜
面向工业 4.0 的自动化
从装样到出图，仅需 1 分钟，高测试效率，操作员无需漫长等待，检测通量比传统电镜提升 5-10 倍，极大加速了 QC 判断和研发迭代。
01“深度集成，随需而变”
开放的自动化接口，提供 Python 脚本控制 (PPI)，可以无缝集成到客户现有的自动化产线和 LIMS 系统中。精准的自动化马达台，结合软件脚本，一次可容纳 36 个样品，打造“无人值守的质检工厂”，自定义设定程序，在夜间或休息时间对大批量样品进行自动拍照和分析，最大化设备利用率。
02“一张图看全貌，多点分析无遗漏”
在晶圆、滤膜、金属断口等大样品上，自动获取全景高清图，并对预设的关键点位进行高倍率分析，确保检测无死角。
03从“看”到“算”
专业的自动化分析软件，ParticleMetric (颗粒统计)、FiberMetric (纤维统计) 等专用软件。自动化完成需要人工数小时才能完成的颗粒度、形貌、尺寸分布等统计工作，输出标准化报告，实现真正的量化品控。
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不挑安装环境
内置专利减震系统，超强的环境适应性
内置专利减震系统，对安装环境要求低，无需防震台，可直接放置于生产车间、楼层 QC 实验室等，甚至可以车载，野外场景使用。节省实验室改造费用，真正做到“买得起，更能用得好”。
飞纳电镜曾经参与冰岛火山口、西班牙无人岛等科学研究项目，是适用于最恶劣环境的便携扫描电镜。科研人员采集样本回到帐篷中，利用飞纳电镜来确定样本的化学构成，极大地提高了样本采集和分析的效率。
05
原厂集成能谱 EDS
完全集成能谱探测器，所有操作：从电子光学设置、图像采集到能谱分析和面分布，都在同一个统一、直观的界面中完成。
01ChemiSEM 彩色成像技术
形貌图像和元素数据实时同步，无缝调用。用户可以在观察形貌的同时，即时进行点、线、面分析，无需任何数据导入导出的步骤。
02Phase Mapping 相分析软件
专有的在线相分析软件模块 (Phase Mapping)，利用强大的算法，根据每个像素点的元素定量结果，自动识别、分类并标定出不同的“相”或“化合物”。
06
卓越的低电压成像功能
PhenomXL G3 配备了全新升级真空设计和背散射探测器 (BSD)，优化了低电压下的灵敏度，提升了总体的信噪比 (S/N)，对于不导电、导电性差、以及电子束敏感样品，可以使用更低的束流进行拍摄，提升分辨率的同时，降低荷电效应带来的影响。
由于整体信噪比的提升，我们可以使用更短的采集时间采集同样质量的照片，在自动化工作流程中，高通量照片拍摄的总效率平均提升 30%。
电子陶瓷
放大倍数：1,000X
5kV，未喷金，背散射电子像
观测到陶瓷内晶粒大小和空隙
CMOS 探测器
放大倍数：5,000X
2kV，二次电子像
可以清晰看到像素单元及表面污染物
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