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等离子增强化学气相沉积实验系 极限真空:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后) 频率?nbsp;13.56MHz 控制方式:手动逻辑控制 气路系统?路进气及不锈钢管路、截止阀等; 设备主要用途: 该系列设备应用等离子体化学气相沉积技术,主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电及金属膜。等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度,使其在热稳定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低,还可以降低热应力失配 设备的主要技术参?
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