www.188betkr.com 讯近日，中国科学院和中国工程院分别公布2025年院士增选有效候选人名单的公告。中国科学院有效候选人639人，中国工程院有效候选人660人。在这份名单中，包含长期深耕于金刚石及半导体领域的学者，研究方向涉及单晶金刚石生长、超宽禁带半导体电子学等前沿领域。
哈尔滨工业大学朱嘉琦：研究团队长期围绕功能光电薄膜及晶体、金刚石生长及应用等技术领域开展研究工作，相关研究成果处国际前列国内领先水平。团队在金刚石成工艺、金刚石高导热及半导体器件应用等方面成果斐然，取得了显著进展。
图源：哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
西安电子科技大学张进成：研究方向聚焦于超宽禁带半导体电子学（涵盖氧化镓、金刚石、氮化铝等）、宽禁带半导体电子学（如氮化镓等）以及大功率射频芯片与电力电子芯片。近年来，团队在超宽禁带半导体研究领域取得一系列突破性成果，例如金刚石场效应晶体管在栅长为2μm时，仍能保持400mA/mm的高电流密度，并可在200°C环境下稳定工作。
哈尔滨工业大学武高辉：团队首创的大气环境下金属基复合材料浸渗、成型、界面反控制同步制造技术，实现了低成本、绿色化制造的金刚石/铝和金刚石/铜超高导热复合材料及净成型构件，成功解决了高功率器件的散热问题，为多项“国之重器”解决了材料急需。
华侨大学徐西鹏：研究方向为“硬脆材料先进加工科学与技术”，重点探索“半导体材料精密超精密磨粒加工新技术”。目前，徐西鹏主持国家自然科学基金重点项目“晶圆级单晶金刚石衬底的活性硬质磨粒协同加工原理与关键技术研究”。
金刚石具有宽带隙、极高硬度、超高导热率、低热膨胀、强抗辐射及耐酸碱能力，且在宽光谱范围内透光率高，使其成为极具潜力的半导体材料，在紫外/高能粒子探测、同位素电池、激光器、高频高功率器件、太空领域用半导体器件等方面不断取得技术突破并展示出了巨大的应用潜力。我国在宽禁带半导体领域已经取得了显著进展，突破了国际封锁，实现了设备自主可控，对产业升级及下一代半导体领域实现弯道超车有着重要作用。
参考来源：
2.赵璐冰等：超宽禁带半导体材料发展现状与展望
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