www.188betkr.com 讯在后摩尔时代，半导体工艺正逐步逼近物理极限，芯片性能提升遭遇前所未有的严峻挑战。在此背景下，2.5D/3D封装技术凭借对芯片集成效率的显著提升，成为延续摩尔定律的核心关键路径。而中介层作为连接不同芯片、实现数据高效传输的核心“桥梁”，其性能表现与成本控制，直接决定了先进封装技术的产业化推进速度与应用规模。
当前传统中介层方案存在明显短板，难以兼顾性能与成本的平衡。其中，硅基中介层虽在电气性能、互连密度上表现优异，但其制造成本居高不下，占封装总成本比例超30%，且复杂的制造工艺进一步限制了其大规模应用。另一主流方案有机中介层虽成本优势显著，但存在高频信号损耗大、热膨胀系数与芯片不匹配、易发生翘曲变形等问题，无法满足高密度互连场景下的性能需求。
在传统中介层方案难以突破瓶颈的背景下，基于TGV（玻璃通孔）技术的玻璃基中介层凭借多维度优势脱颖而出。它不仅具备极低的高频信号损耗、与芯片接近的热膨胀系数和优异的机械强度，还在成本控制上展现出显著竞争力，完美解决了传统方案“性能与成本不可兼得”的痛点，成为支撑下一代先进封装技术发展的核心材料。
近期，芯德半导体与东南大学史泰龙团队联合研发的晶圆级Glass Interposer 2.5D扇出型封装技术取得突破性进展，相关技术指标精准达成封装设计需求。
产品封装设计结构图 来源：芯德半导体
本次流片的首颗样品是面向AI加速芯片的2.5D集成模块，该模块架构强大，包含1颗采用7nm工艺的国产GPU核心、4颗单颗带宽超460GB/s的HBM2E存储芯片，以及厚度为400μm的Glass Interposer互连层，为高性能AI计算提供了坚实的硬件支撑。
产品实物外观图 来源：芯德半导体
从仿真数据来看，该技术优势显著，在相同频率下，TGV互连结构的插入损耗均小于传统TSV（硅通孔），即便比特率增加导致眼图指标大部分恶化，TGV的指标仍优于TSV。
TGV样片SEM特征图 来源:芯德半导体
具体而言，这项技术在四大关键领域实现突破：其一，高精度TGV工艺，成功实现直径62.5μm的微孔加工，深宽比达7:1，互连密度较传统方案提升3倍；其二，超细线路RDL（再布线层），线宽/线距≤2μm，支持10?I/O/mm?的高密度互连，完美满足HBM（高带宽存储器）集成需求；其三，低翘曲晶圆级封装，通过材料优化与低温键合技术，将300mm晶圆翘曲控制在<50μm，良率突破97%，大幅提升生产稳定性与经济性；其四，射频性能优化，玻璃介电损耗（Df）可低至0.004@10GHz，除了适用于AI、HPC 领域，还能满足5G毫米波、光通信等高频应用场景需求。
作为这项突破性技术的主导者之一，芯德半导体实力雄厚。公司自2020年9月成立以来，专注于中高端封装测试领域。目前，可为客户提供丰富的封装产品设计和服务，涵盖Bumping、WLCSP、Flip Chip PKG、QFN、BGA、SIP、SIP-LGA、2.5D等多种封装类型。
此次TGV技术的突破性进展，进一步彰显了芯德半导体在先进封装领域的技术实力与创新能力，有望推动国内高端封装产业加速发展，助力我国在全球半导体竞争中占据更有利地位。
参考来源:
芯德半导体官网
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