www.188betkr.com 讯2025年8月21日，由www.188betkr.com 主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在苏州·白金汉爵大酒店成功召开！大会期间，www.188betkr.com 邀请到多位业内专家学者做客“对话”栏目畅谈碳化硅半导体前沿技术、装备与产业化进展，共同展望了这一战略性材料的无限潜能。本期是对常州臻晶半导体有限公司销售总监蒋志强的专访。
www.188betkr.com ：蒋总，请您介绍一下常州臻晶半导体有限公司。
蒋总：我们常州臻晶半导体有限公司是在2020年成立的，是国内最早的专注于液相法产业化的公司。我们现在主要的研究方向就是碳化硅晶体的液相法生长技术，以及相关的设备研发、生产和制造。
www.188betkr.com ：请问蒋总，传统的物理气相传输法生长碳化硅单晶有哪些局限性？
蒋总：我是这样认为的，首先我们不能说它有很强的局限性，因为经过这么多年的发展，气相法其实已经非常成熟了。只能说它现在的发展状况没有办法去应对当前碳化硅市场极度内卷的局面。所以我们现在就需要去实现一些新的突破，比如说长晶厚度的提高，晶体良率的提升等。
www.188betkr.com ：相比PVT法，液相法生长碳化硅单晶的优势体现在哪些方面？
蒋总：应该说液相法是在现在市场极度内卷下催生出来的一个技术需求。在优势方面，首先我们可以实现长晶厚度的突破，比如说现在PVT法晶体应该是在2厘米左右，目前我们在研发阶段已经突破了这个厚度，而且我们未来的预期它可以更厚，比如达到6厘米。第二就是在工艺足够成熟的前提下，我们的生产成本会低很多，在原材料、热场等各方面的成本都会降低很多，还有就是我们在降低缺陷密度方面也有较大的优势。
www.188betkr.com ：当前液相法面临的技术挑战有哪些？
蒋总：比如说助溶剂的包裹问题，还有金属沾污问题，再有就是我们怎么去实现厚度的突破、如何降低缺陷密度以及金属残留和掺杂的均匀性等问题。
www.188betkr.com ：臻晶半导体在液相法生长碳化硅单晶方面进展如何，取得了哪些成果？
蒋总：我们从开始研发到现在已历经多年，现在也取得了一些还算可观的成果，在国内我们的成果也算是比较领先的。
首先就是我们的长晶，现在我们可以对外提供一个5毫米的长晶工艺包的出售。当前国内愿意这样做或者说能够这样做的企业还是比较少的。第二就是我们自己本身可以达到比这个工艺包更好的一个程度，比如说2厘米以上长晶厚度。而且从检测结果来说，我们的缺陷密度也是可以降得很低的。还有就是我们现在基本上已经实现了单晶炉、热场、助溶剂等整个体系固定。未来我们更多地就是去把这个工艺再进一步优化。
（www.188betkr.com /山川）
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