www.188betkr.com 讯 7月30日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司（简称：烁科晶体）年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。
年产100万毫米碳化硅单晶项目是中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建的央地合作典范，项目投产后将新增100万mm碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。
烁科晶体成立于2018年10月，是国内从事第三代半导体材料SiC生产和研发的领军企业，在国内率先完成4、6、8英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底技术攻关，同时也是央企中国电子科技集团有限公司“十二大创新平台”之一。
到2020年，该公司的SiC晶片产量已达3万余片，市场占有率超过50%。在近年来的发展过程中，公司逐渐形成了SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
同时，烁科晶体在碳化硅导电型衬底领域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅衬底领域成绩斐然：2021年9月制备出国内首块8英寸碳化硅单晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅单晶衬底，2023年再次率先将8英寸碳化硅衬底厚度降至350微米。
2024年12月26日，山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。这是全球首次实现300 mm半绝缘SiC晶圆，标志着超大尺寸SiC晶体生长和缺陷控制取得突破。
据消息，全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制，围绕碳化硅基底刻蚀制备衍射光波导镜片的核心技术攻关，推动碳化硅刻蚀衍射光波导产品的研发与量产。近年来，烁科晶体与欧洲、日本、韩国、中国台湾等国家和地区的客户签订长期订单，国际市场前景向好。
2025年8月21日，www.188betkr.com 将在苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会。届时山西烁科晶体有限公司市场经理刘晓星将带来《碳化硅单晶衬底材料的发展及展望》的精彩报告，共同探讨碳化硅单晶衬底的发展现状及未来趋势，欢迎报名参会！
来源：半导体材料行业协会
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