LPCVD用于淀积Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中、�/p>

设备主要特点

� 采用先进的闭环控制系统，压力稳定无波�?/p>

� 高精度温控系绞�/p>

� 工艺薄膜均匀性优弁�/p>

★支持SECS/GEM通讯

主要技术指栆�/p>

� 适用硅片尺寸:4~6"

� 工作温度范围:350℃~800ℂ�/p>

� 恒温长度:300-1100mm(可定�?

� 系统极限真空�? 10mtorr

� 工作压力范围:100~400mtorr可调

工艺类型

� Poly

� D-Poly(P+/N+)

◎SIPOS

◎BPSG

� SiO2 (LTO TEOS )

� 工艺均匀�?

◎SiN(LSSiN)

片内≤�?% 片间≤�?% 批间≤�?%