设备特点

� 用逓�用于 HgCdTe 薄膜材料的液相外延生镾�/p>

◎基片尺寷�max40mmx60mm

� 数量:每管炉次4牆�

� 反应管内徃��?26mm;

� 控温分区:四区独立控温;

� **工作温度:750ℂ�

� 温度控制精度:�?.1ℂ�/p>

� 恒温区长�?260mm;

� 恒温区温度均匀�?±0.2�?400℃~550�?;

� 控温方式:内控温和外控�?/p>

� *小稳定降温速率:�?.1�?min,±0.1ℂ�/p>

� 空载快速降温速率:550�?100℃，<90min

� 石墨舞�垂直进出反应管，升降自动

� 旋转方向:顺时针和逆时钇�/p>

� 旋转:基片支架可相对石墨舟或坩埚旋转、浸液升陌�

� 基片支架浸舟升降行程:>85cm

� 基片支架浸舟升降速度:1-10mm/

� 基片支架浸舟旋转速度:0.5-5rmp

� 运动部位定位精度:�?.5mm

� 抽逞�整机抽到�?Pa时间�?min

� 整机极限真空:�?Pa

� 真空检漏灵敏度:1.0x10-¹²Pa.m³/S

◎压升率:<25Pa/h

� 汞收雅�排气管路具有汞蒸气冷凝回收冷阰�/p>

� 工艺过程:计算机全自动控制，人机工程设计，自动运行、操作方侾�

软件要求

系统控制软件具备自动控制整个工艺流程的能力，设计有相应的等级限制，能够自主设置控制工艺参数的

知悉范围:具备手动控制功能，在自动控制出现问题时能手动控制保护热处理材料及设备、�/p>

安全操作

具有H2 泄露检测，报警、自锁互锁、清洗等功能;加热温度过热、检测、报警和联锁;断水断电断气互锁筈�/p>