SiC与GaN晶圆氧化工艺设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能、�/p>

设备特点

� 型号:OXIDE150

� 工艺温度:1380℃~1500ℂ�/p>

� 工艺气体:H�?N₂O/NO/O�?Ar�?N₁�/p>

� 工艺压力:100mbr-Atmospher

� 晶圆尺寸:�?50mm

� 产能:25�?0 �?扸�/p>

� 正常UP Time:98%

� 全自动化系统和MES服务